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数字万用表测量半导体的方法
点击次数:1672 发布时间:2014-01-07
  一、二极管
  
  数字万用表二极管档开路电压约为2.8V,红表笔接正,黑表笔接负,测量时提供电流约为1mA,显示值为二极管正向压降近似值,单位是mV或V。硅二极管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二极管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二极管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V,说明二极管击穿,此时正反向都导通。如果正反向均开路说明二极管PN节开路。对于发光二极管,正向测量时二极管发光,管压降约1.7V左右。
  
  二、三极管
  
  三极管有两个PN节,发射节(be)和集电节(bc),按测量二极管的方法测量即可。在实际测量时,每两个管脚间都要测正反向压降,共要测6次,其中有4次显示开路,只有两次显示压降值,否则三极管是坏的或是特殊三极管(如带阻三极管、达林顿三极管等,可通过型号与普通三极管区分开来)。在两次有数值的测量中,如果黑表笔或红表笔接同一极,则该极是基极,测量值较小的是集电节,较大的是发射节,因为已判断出基极,对应可以判断出集电极和发射极。同时可以判断:如果黑表笔接同一极,则三极管是PNP型,如果红表笔接同一极,则三极管是NPN型;压降为0.6V左右的是硅管,压降为0.2V左右的是锗管。
  
  三、可控硅:
  
  可控硅阳极与阴极及控制极是开路的,据此可以确定阳极管脚和判断可控硅是否击穿。可控硅控制极和阴极间也是PN节,但是大功率可控硅控制极和阴极间有一个保护电阻,测量时显示值为电阻上的压降。
  
  四、光耦
  
  光耦的一侧是发光二极管,测量时压降约1V左右,另外一侧是三极管,有的只引出c、e,测量正反向均截止,如果三个脚都引出,测量特性同上面三极管(多为NPN管)。当用一个万用表使二极管正向导通,此时用另外一块万用表测三极管c对e导通压降约为0.15V;断开接二极管的万用表,三极管c对e截止,说明该光耦是好的

 

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